IPD60R950C6ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD60R950C6ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.46 |
10+ | $1.303 |
100+ | $1.0156 |
500+ | $0.839 |
1000+ | $0.6623 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | CoolMOS™ C6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 37W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD60R |
IPD60R950C6ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD60R950C6ATMA1 PDF - EN.pdf |
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2024/04/14
2024/05/7
2024/05/17
2024/06/17
IPD60R950C6ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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